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IPD30N08S2L-21
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PG-TO-252-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:75 V

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導通電阻:20.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:56 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.5 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:11 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:30 ns

工廠包裝數量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:44 ns

典型接通延遲時間:9 ns

零件號別名:IPD30N08S2L21ATMA1 IPD3N8S2L21XT SP000252170

單位重量:4 g

介紹圖IPD30N08S2L-21
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IPD30N08S2L-21OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網156.28 Kbytes共8頁IPD30N08S2L-21的PDF文件地址 IPD30N08S2L-21的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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