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IPD30N06S3L-20
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Vds-漏源極擊穿電壓:55 V

Rds On-漏源導通電阻:20 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :16 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:45 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

商標:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:74 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:34 ns

工廠包裝數量:2500

典型關閉延遲時間:43 ns

典型接通延遲時間:9 ns

介紹圖IPD30N06S3L-20
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPD30N06S3L-20OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網185.37 Kbytes共9頁IPD30N06S3L-20的PDF文件地址 IPD30N06S3L-20的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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