| 型號(hào) | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號(hào) | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
| IPD320N20N3 | N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | ![ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/572ISC.GIF) | 335.94 Kbytes | 共2頁 |  | |
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| IPD320N20N3 G | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：34A 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：4V @ 90?A 漏源導(dǎo)通電阻：32mΩ @ 34A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 類型：N溝道 | Infineon(英飛凌) |  | 547.21 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD320N20N3G | OptiMOSTM3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | | 328.51 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD320N20N3GATMA1 | MOSFET MV POWER MOS | Infineon Technologies | | 532.30 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD320N20N3GATMA1 | MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 | Infineon Technologies | | 547.21 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD320N20N3GATMA1 | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：34A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：4V @ 90uA 漏源導(dǎo)通電阻：32mΩ @ 34A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 類型：N溝道 | Infineon(英飛凌) | | 547.21 Kbytes | 共9頁 | | |
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| IPD320N20N3GBTMA1 | 3 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | | 514.04 Kbytes | 共9頁 | | |
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