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IPD30N10S3L-34
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:30 A

Rds On-漏源導通電阻:25.8 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:31 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.5 mm

系列:OptiMOS-T

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:6.22 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:3 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:4 ns

工廠包裝數量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:18 ns

典型接通延遲時間:6 ns

零件號別名:IPD30N10S3L34ATMA1 IPD3N1S3L34XT SP000261248

單位重量:4 g

介紹圖IPD30N10S3L-34
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPD30N10S3L-34OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網188.43 Kbytes共9頁IPD30N10S3L-34的PDF文件地址 IPD30N10S3L-34的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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IPD30N10S3L-34isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網322.64 Kbytes共2頁IPD30N10S3L-34的PDF文件地址 IPD30N10S3L-34的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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