FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 330μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：23nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：890pF @ 100V
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：399 毫歐 @ 4.9A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：PG-TO252-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：500V
Id-連續(xù)漏極電流：9A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：360mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：23nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：83W
通道模式：Enhancement
高度：2.3mm
長度：6.5mm
系列：CoolMOSCE
晶體管類型：1N-Channel
寬度：6.22mm
下降時(shí)間：14ns
上升時(shí)間：14ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80ns
典型接通延遲時(shí)間：35ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs