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IPD50R2K0CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：500V

Id-連續(xù)漏極電流：3.6A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：6nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：33W

通道模式：Enhancement

封裝：CutTape

高度：2.3mm

長(zhǎng)度：6.5mm

系列：XPD50R2

晶體管類(lèi)型：1N-Channel

寬度：6.22mm

下降時(shí)間：38ns

MXHTS：85412999

上升時(shí)間：5ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：21ns

典型接通延遲時(shí)間：6ns

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPD50R2K0CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD50R2K0CE	500V CoolMOSa?￠ CE Power MOSFET	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1164.99 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD50R2K0CE	500V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1642.07 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD50R2K0CE	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	334.96 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD50R2K0CEAUMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD50R2K0CEAUMA1	MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252	Infineon Technologies	1.61 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD50R2K0CEBTMA1	CONSUMER	Infineon Technologies	1.61 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)