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IPD60R1K0CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：3

RDS (on) max：1000.0m?

IDpuls max：12.0A

VDS max：600.0V

ID max：4.3A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：3.41K/W

QG：13.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.31

Ptot max：37.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPD60R1K0CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CE	Very high commutation ruggedness	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2365.05 Kbytes	共16頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1557.01 Kbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CE	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.78 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CEATMA1	MOSFET N-CH 600V TO-252-3	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CEATMA1	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CEAUMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.46 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPD60R1K0CEAUMA1	CONSUMER	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)