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IPD600N25N3
規(guī)格信息：

制造廠商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]

描述:N-Channel MOSFET Transistor

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.23 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3 G	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：25A 漏源電壓（Vdss）：250V 柵源極閾值電壓：4V @ 90?A 漏源導(dǎo)通電阻：60mΩ @ 25A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	486.80 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	313.22 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	492.43 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3G_11	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	492.43 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3GATMA1	MOSFET MV POWER MOS	Infineon Technologies	432.72 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3GATMA1	MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3	Infineon Technologies	486.80 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
IPD600N25N3GBTMA1	MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3	Infineon Technologies	486.80 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買