唐家三少,我欲封天耳根小说

IPD60R400CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：3

RDS (on) max：400.0m?

IDpuls max：30.0A

VDS max：600.0V

ID max：10.3A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.5K/W

QG：32.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.29

Ptot max：83.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPD60R400CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CE	Very high commutation ruggedness	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1771.83 Kbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1351.55 Kbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CE	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.75 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CEATMA1	MOSFET N-CH 600V TO-252-3	Infineon Technologies	1.32 Mbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CEAUMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CEAUMA1	MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252	Infineon Technologies	1.32 Mbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPD60R400CEAUMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：14.7A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 300uA 漏源導(dǎo)通電阻：400mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：112W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.32 Mbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買