數(shù)據(jù)列表：IPD60R3K3C6
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：CoolMOS??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1.7A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.3 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 40µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：4.6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：93pF @ 100V
功率 - 最大值：18.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
其它名稱：IPD60R3K3C6BTMA1IPD60R3K3C6TRSP000799130