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IPD60R800CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：3

RDS (on) max：800.0m?

IDpuls max：15.7A

VDS max：600.0V

ID max：5.6A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：2.6K/W

QG：17.2nC

Budgetary Price ?€/1k：0.2

Ptot max：48.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPD60R800CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD60R800CE	Very high commutation ruggedness	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1680.38 Kbytes	共17頁	產(chǎn)品購買
IPD60R800CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1196.4 Kbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPD60R800CE	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.86 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD60R800CEATMA1	MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPD60R800CEATMA1	MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPD60R800CEAUMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPD60R800CEAUMA1	CONSUMER	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共16頁	產(chǎn)品購買