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IPD60R750E6
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-TO252-3

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600V

Id-連續(xù)漏極電流:5.7A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:680mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

Qg-柵極電荷:17.2nC

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:48W

通道模式:Enhancement

高度:2.3mm

長(zhǎng)度:6.5mm

系列:CoolMOSE6

晶體管類(lèi)型:1N-Channel

寬度:6.22mm

上升時(shí)間:7ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50ns

典型接通延遲時(shí)間:9ns

Packing Type:TAPE & REEL

RDS (on) max:750.0m?

IDpuls max:15.7A

VDS max:600.0V

ID max:5.7A

Package:DPAK (TO-252)

Rth:2.6K/W

QG:17.2nC

Budgetary Price ?€/1k:0.39

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:48.0W

Polarity:N

Pin Count:3.0Pins

RthJA max:62.0K/W

Mounting:SMT

VGS(th) min max:2.5V 3.5V

無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖IPD60R750E6
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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