FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：4.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 130μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：280pF @ 100V
功率耗散（最大值）：37W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：950 毫歐 @ 1.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：PG-TO252-3
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：600V
Id-連續(xù)漏極電流：4.4A
Rds On-漏源導通電阻：860mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：13nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：37W
通道模式：Enhancement
高度：2.3mm
長度：6.5mm
系列：CoolMOSC6
晶體管類型：1N-Channel
寬度：6.22mm
下降時間：13ns
上升時間：8ns
典型關閉延遲時間：60ns
典型接通延遲時間：10ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs