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IPD65R250C6
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

RoHS：Y

技術：Si

安裝風格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：16.1A

Rds On-漏源導通電阻：230mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：44nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：208.3W

通道模式：Enhancement

封裝：CutTape

高度：2.3mm

長度：6.5mm

系列：CoolMOSC6

晶體管類型：1N-Channel

寬度：6.22mm

下降時間：12ns

MXHTS：85412999

上升時間：11ns

典型關閉延遲時間：100ns

典型接通延遲時間：13ns

商標名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPD65R250C6
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IPD65R250C6N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網335.92 Kbytes共2頁IPD65R250C6的PDF文件地址 IPD65R250C6的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPD65R250C6XTMA1MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1.21 Mbytes共15頁IPD65R250C6XTMA1的PDF文件地址 IPD65R250C6XTMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPD65R250C6XTMA1MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1.21 Mbytes共15頁IPD65R250C6XTMA1的PDF文件地址 IPD65R250C6XTMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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