制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:2.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.26 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:10 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:28.4 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長(zhǎng)度:6.5 mm
系列:XPD65R1
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時(shí)間:18.2 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:6 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
典型接通延遲時(shí)間:8 ns
零件號(hào)別名:IPD65R1K4CFDBTMA1 SP000953126
單位重量:4 g