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IPD65R380C6
規(guī)格信息：

RoHS：符合 RoHS

封裝/外殼：PG-TO252-3

系列：IPD65R380

品牌：InFineon Technologies

最低工作溫度：- 55 C

標準包裝數(shù)量：2500

公司名稱：CoolMOS

晶體管極性：N-Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓：700 V

Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V

Id - C連續(xù)漏極電流：10.6 A

Rds On - 漏-源電阻：340 m0hms

最高工作溫度：+ 150 C

83 W：Pd - 功率消耗

安裝風格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：10.6A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：340mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

封裝：CutTape

高度：2.3mm

長度：6.5mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：6.22mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPD65R380C6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6	650V CoolMOS C6 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2152.49 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1958.71 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.52 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6_13	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1958.71 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6ATMA1	MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3	Infineon Technologies	1.37 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6BTMA1	MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3	Infineon Technologies	1.37 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6BTMA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.37 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPD65R380C6BTMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10.6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 320uA 漏源導(dǎo)通電阻：380mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.92 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買

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