Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：100V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：5A
Rds（最大）@ ID，VGS：85 mOhm @ 4.6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：1313pF @ 50V
功率 - 最大：2.15W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：3DPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：100 V
最大連續(xù)漏極電流：7.7 A
RDS -于：85@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：6.8 ns
典型上升時(shí)間：5.3 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27.5 ns
典型下降時(shí)間：12.3 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：6.22(Max)
PCB：2
最大功率耗散：10100
最大漏源電壓：100
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：85@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：DPAK
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長(zhǎng)度：6.73(Max)
引腳數(shù)：3
包裝高度：2.39(Max)
最大連續(xù)漏極電流：7.7
封裝：Tape and Reel
標(biāo)簽：Tab
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：10.1W
匹配代碼：ZXMN10A09KTC
LogicLevel：NO
單位包：2500
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：16 weeks
最小起訂量：2500
無鉛Defin：RoHS-conform
汽車：NO
我（D ）：7.7A
V（ DS ）：100V
的RDS（on ） at10V：0.085Ohm
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：5A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3
其他名稱：ZXMN10A09KTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：85 mOhm @ 4.6A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2.15W
漏極至源極電壓（Vdss）：100V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1313pF @ 50V
閘電荷（Qg ） @ VGS：26nC @ 10V
封裝/外殼：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：2500
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：7.7 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：100 mOhms
功率耗散：10.1 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：TO-252
上升時(shí)間：5.3 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：100 V
RoHS：In Transition
下降時(shí)間：12.3 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：0.085 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：DPAK