Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標準包裝：1,000
FET 型
：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.7A, 2A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 15V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.3W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供應(yīng)商器件封裝：SM8
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SM8
渠道類型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：3.1@N Channel|2.3@P Channel A
RDS -于：120@10V@N Channel|210@10V@P Channel mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：1.7@N Channel|1.2@P Channel ns
典型上升時間：2.3 ns
典型關(guān)閉延遲時間：6.6@N Channel|12.1@P Channel ns
典型下降時間：2.9@N Channel|7.5@P Channel ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
歐盟RoHS指令：Compliant
最高工作溫度：150
最低工作溫度：-55
包裝高度：1.6(Max)
最大功率耗散：1700
封裝：Tape and Reel
最大漏源電阻：120@10V@N Channel|210@10V@P Channel
最大漏源電壓：30
每個芯片的元件數(shù)：4
包裝寬度：3.7(Max)
供應(yīng)商封裝形式：SM8
包裝長度：6.7(Max)
PCB：8
最大連續(xù)漏極電流：3.1@N Channel|2.3@P Channel
引腳數(shù)：8
P（ TOT ）：1.7W
匹配代碼：ZXMHC3A01T8TA
LogicLevel：NO
單位包：1000
標準的提前期：12 weeks
最小起訂量：1000
無鉛Defin：RoHS-conform
汽車：NO
我（D ）：2.3A
V（ DS ）：30V
技術(shù)：H-Bridge
的RDS（on ） at10V：0.335Ohm
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.7A, 2A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SM8
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
功率 - 最大：1.3W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 15V
封裝/外殼：SOT-223-8
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名稱：ZXMHC3A01T8CT
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N and P-Channel
配置：Quad
連續(xù)漏極電流：3.1 A, - 2.3 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：1.3 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SM-8
上升時間：2.3 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：30 V, - 30 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時間：2.3 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V