類(lèi)別：Power MOSFET
通道模式：Enhancement
渠道類(lèi)型：N, P
配置：Dual, Dual Drain
外形尺寸：3.1 x 3.1 x 0.95mm
身高：0.95mm
長(zhǎng)度：3.1mm
最大連續(xù)漏極電流：2 (P-Channel) A, 2.3 (N-Channel) A
最大漏源電阻：0.135 (N-Channel) Ω, 0.185 (P-Channel) Ω
最大漏源電壓：30 V
最大門(mén)源電壓：±20 V
最高工作溫度：+150 °C
最大功率耗散：1.25 W
最低工作溫度：-55 °C
安裝類(lèi)型：Surface Mount
每個(gè)芯片的元件數(shù)：2
包裝類(lèi)型：MSOP
引腳數(shù)：8
典型柵極電荷@ VGS：7 nC @ 10 V (P-Channel), 8 nC @ 10 V (N-Channel)
典型輸入電容@ VDS：270 pF @ 25 V (P-Channel), 290 pF @ 25 V (N-Channel)
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.1 (P-Channel) ns, 9.6 (N-Channel) ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：2.5 (N-Channel) ns, 2.6 (P-Channel) ns
寬度：3.1mm