標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
FET 型
：N and P-Channel
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：5.8A, 4.8A
Rds（最大）@ ID，VGS：25 mOhm @ 5.8A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：1800pF @ 25V
功率 - 最大：1.25W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬度
)
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR);;其他的名稱；
包裝：8SOIC
渠道類型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：7.6@N Channel|6.3@P Channel A
RDS -于：25@10V@N Channel|35@10V@P Channel mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：5.5 ns
典型上升時間：8.7@N Channel|9.5@P Channel ns
典型關(guān)閉延遲時間：33 ns
典型下降時間：8.5@N Channel|38@P Channel ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
單位包：500
最小起訂量：500
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：5.8A, 4.8A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 5.8A, 10V
FET型：N and P-Channel
功率 - 最大：1.25W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1800pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：36nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名稱：ZXMC3A18DN8CT
工廠包裝數(shù)量：500
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N and P-Channel
配置：Dual Dual Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：7.6 A, - 6.3 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：25 mOhms
功率耗散：2.1 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SOIC-8
上升時間：8.7 ns, 9.5 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：30 V