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制造商:Diodes Incorporated

產品種類:MOSFET

商標:Diodes Incorporated

Id-連續(xù)漏極電流:- 7.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 30 V

Rds On-漏源導通電阻:35 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時間:16.3 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:16.3 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

典型關閉延遲時間:94.6 ns

典型接通延遲時間:7.6 ns