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類別：Power MOSFET

通道模式：Enhancement

渠道類型：P

配置：Quad Drain, Single, Triple Source

外形尺寸：5 x 4 x 1.5mm

身高：1.5mm

長(zhǎng)度：5mm

最大連續(xù)漏極電流：7.9 A

最大漏源電阻：0.025 Ω

最大漏源電壓：30 V

最大門源電壓：±20 V

最高工作溫度：+150 °C

最大功率耗散：2.5 W

最低工作溫度：-55 °C

安裝類型：Surface Mount

每個(gè)芯片的元件數(shù)：1

包裝類型：SOIC

引腳數(shù)：8

典型柵極電荷@ VGS：36 nC V @ 5, 62.5 nC V @ 10

典型輸入電容@ VDS：1979 pF V @ 25

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：94.6 ns

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：7.6 ns

寬度：4mm