Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Standard
漏極至源極電壓（VDSS）：35V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：3.3A
Rds（最大）@ ID，VGS：75 mOhm @ 2.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：46nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：825pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安裝類型
：Through Hole
包/盒
：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
包裝材料
：Bulk
包裝：3TO-220
渠道類型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：35 V
最大連續(xù)漏極電流：12 A
RDS -于：75@10V mOhm
最大門(mén)源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：4.4 ns
典型上升時(shí)間：6.2 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
典型下降時(shí)間：29.2 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Through Hole
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube
最大門(mén)源電壓：±20
包裝寬度：10.66
PCB：3
最大功率耗散：20000
最大漏源電壓：35
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：75@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：TO-220
最高工作溫度：150
包裝長(zhǎng)度：16.51
引腳數(shù)：3
包裝高度：4.82
最大連續(xù)漏極電流：12
封裝：Tape and Reel
標(biāo)簽：Tab
FET特點(diǎn)：Standard
安裝類型：Through Hole
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：3.3A (Ta), 12A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：75 mOhm @ 2.4A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.5W
漏極至源極電壓（Vdss）：35V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：825pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：46nC @ 10V
封裝/外殼：TO-220-3
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：P-Channel
配置：Single
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：- 12 A
安裝風(fēng)格：Through Hole
RDS（ON）：105 mOhms
功率耗散：20 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：TO-220
上升時(shí)間：6.2 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：- 35 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時(shí)間：29.2 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：0.075 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：TO-220
極性：P
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1
工作溫度分類：Military