Status:Active
包裝:6SOT-23
渠道類型:P
通道模式:Enhancement
最大漏源電壓:20 V
最大連續(xù)漏極電流:1.5 A
RDS -于:[email protected] mOhm
最大門源電壓:±12 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:2.8 ns
典型上升時(shí)間:6.4 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.9 ns
典型下降時(shí)間:10.3 ns
工作溫度:-55 to 150 °C
安裝:Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝:Tape & Reel
FET特點(diǎn):Logic Level Gate
封裝:Tape & Reel (TR)
安裝類型:Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:1.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:1V @ 250μA
封裝/外殼:SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-6
其他名稱:ZXM62P03E6TCDI
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:230 mOhm @ 800mA, 4.5V
FET型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:625mW
漏極至源極電壓(Vdss):30V
輸入電容(Ciss ) @ VDS:330pF @ 25V
閘電荷(Qg ) @ VGS:10.2nC @ 10V
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量:10000
產(chǎn)品種類:MOSFET
晶體管極性:P-Channel
配置:Single Quad Drain
源極擊穿電壓:+/- 12 V
連續(xù)漏極電流:1.5 A
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
RDS(ON):230 mOhms
功率耗散:625 mW
最低工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:6.4 ns
最高工作溫度:+ 150 C
漏源擊穿電壓:- 30 V
RoHS:RoHS Compliant
下降時(shí)間:6.4 ns