Status：Active
包裝：6SOT-23
渠道類型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：20 V
最大連續(xù)漏極電流：1.5 A
RDS -于：[email protected] mOhm
最大門源電壓：±12 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：2.8 ns
典型上升時(shí)間：6.4 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.9 ns
典型下降時(shí)間：10.3 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1.5A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
封裝/外殼：SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6
其他名稱：ZXM62P03E6TCDI
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：230 mOhm @ 800mA, 4.5V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：625mW
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：330pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：10.2nC @ 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：10000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：P-Channel
配置：Single Quad Drain
源極擊穿電壓：+/- 12 V
連續(xù)漏極電流：1.5 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：230 mOhms
功率耗散：625 mW
最低工作溫度：- 55 C
上升時(shí)間：6.4 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：- 30 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時(shí)間：6.4 ns