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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：30V

電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：1.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：220 mOhm @ 910mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：4.1nC @ 10V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：150pF @ 25V

功率 - 最大：625mW

安裝類型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

封裝：Tape & Reel (TR)

安裝類型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1.4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA

封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：220 mOhm @ 910mA, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000

漏極至源極電壓（Vdss）：30V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：150pF @ 25V

閘電荷（Qg ） @ VGS：4.1nC @ 10V