Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標準包裝：10,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：20V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：1.7A
Rds（最大）@ ID，VGS：180 mOhm @ 930mA, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：3.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：160pF @ 15V
功率 - 最大：625mW
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：3SOT-23
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：20 V
最大連續(xù)漏極電流：1.7 A
RDS -于：[email protected] mOhm
最大門源電壓：±12 V
典型導通延遲時間：2.4 ns
典型上升時間：4.2 ns
典型關(guān)閉延遲時間：7.8 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±12
包裝寬度：1.4(Max)
PCB：3
最大功率耗散：806
最大漏源電壓：20
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：[email protected]
每個芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：SOT-23
標準包裝名稱：SOT-23
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：3.04(Max)
引腳數(shù)：3
包裝高度：1.02(Max)
最大連續(xù)漏極電流：1.7
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1.7A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250μA
封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：180 mOhm @ 930mA, 4.5V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：625mW
漏極至源極電壓（Vdss）：20V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：160pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS：3.4nC @ 4.5V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：10000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
源極擊穿電壓：+/- 12 V
連續(xù)漏極電流：1.7 A
安裝風格：SMD/SMT
RDS（ON）：180 mOhms
功率耗散：625 mW
最低工作溫度：- 55 C
上升時間：4.2 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：20 V