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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

Id-連續(xù)漏極電流:3.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-6

封裝:Reel

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain

下降時間:5.6 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:5.6 ns

典型關(guān)閉延遲時間:11.7 ns

典型接通延遲時間:2.9 ns