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ZXM62N02E6TC
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

Id-連續(xù)漏極電流:3.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:100 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V

Pd-功率耗散:1.7 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-6

封裝:Reel

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:10.4 ns

上升時間:10.4 ns

典型關(guān)閉延遲時間:16.9 ns

典型接通延遲時間:4 ns

ZXM62N02E6TC

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
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ZXM62N02E6TC	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	192.49 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買