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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-26-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:10.2 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:625 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.3 mm

長(zhǎng)度:3.1 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:ZXM62P0

晶體管類型:1 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.8 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:1.1 S

下降時(shí)間:10.3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:6.4 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.9 ns

典型接通延遲時(shí)間:2.8 ns

單位重量:15 mg