Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.9A
Rds（最大）@ ID，VGS：150 mOhm @ 1.6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：10.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：330pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-261-4, TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.9A (Ta), 4A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
封裝/外殼：TO-261-4, TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：150 mOhm @ 1.6A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2W
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：330pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：10.2nC @ 10V
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：P-Channel
配置：Single Dual Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：- 4 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：230 mOhms
功率耗散：3.9 W
最低工作溫度：- 55 C
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.9 ns
上升時(shí)間：6.4 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：- 30 V
RoHS：In Transition
下降時(shí)間：10.3 ns