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Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Standard

漏極至源極電壓（VDSS）：30V

電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：9A

Rds（最大）@ ID，VGS：15 mOhm @ 7.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：-

輸入電容（Ciss）@?Vds的：-

功率 - 最大：2.5W

安裝類型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供應(yīng)商器件封裝：8-SO

包裝材料 ：

FET特點(diǎn)：Standard

安裝類型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：9A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA

封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

其他名稱：ZXM66N03N8DKR

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：15 mOhm @ 7.3A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2.5W

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1

漏極至源極電壓（Vdss）：30V