制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:5.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.5 mm
長度:5 mm
系列:ZXMC3
晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel
類型:MOSFET
寬度:4 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:11.2 ns, 8.7 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:6.4 ns, 2.9 ns
工廠包裝數(shù)量:500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns, 29.2 ns
典型接通延遲時(shí)間:2.9 ns, 1.7 ns
單位重量:74 mg