包裝：8SO
渠道類型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：7.3@N Channel|5.3@P Channel A
RDS -于：24@10V@N Channel|45@10V@P Channel mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：2.9@N Channel|1.9@P Channel ns
典型上升時間：3.3@N Channel|3@P Channel ns
典型關(guān)閉延遲時間：16@N Channel|30@P Channel ns
典型下降時間：8@N Channel|21@P Channel ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2100
最大漏源電壓：30
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：24@10V@N Channel|45@10V@P Channel
每個芯片的元件數(shù)：2
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：SO
標準包裝名稱：SOIC
最高工作溫度：150
包裝長度：5(Max)
引腳數(shù)：8
包裝高度：1.5(Max)
最大連續(xù)漏極電流：7.3@N Channel|5.3@P Channel
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：1.25W
匹配代碼：ZXMC3F31DN8TA
LogicLevel：YES
單位包：1000
標準的提前期：22 weeks
最小起訂量：1000
Q（克）：12.9nC
LLRDS （上）：0.039Ohm
汽車：NO
LLRDS （上）在：4.5V
我（D ）：7.3A
V（ DS ）：30V
技術(shù)：TrenchFET
的RDS（on ） at10V：0.024Ohm
無鉛Defin：RoHS-conform
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：6.8A (Ta), 4.9A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
其他名稱：ZXMC3F31DN8TADI
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：24 mOhm @ 7A, 10V
FET型：N and P-Channel Complementary
功率 - 最大：1.8W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：608pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS：12.9nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
RoHS：RoHS Compliant
連續(xù)漏極電流：7.3/5.3 A
柵源電壓（最大值）：?20 V
功率耗散：2.1 W
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：SO
極性：N/P
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：2
工作溫度分類：Military