Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
FET 型
：N and P-Channel
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：60V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：3.6A, 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS：55 mOhm @ 4.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：20.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：1063pF @ 30V
功率 - 最大：1.25W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SOIC
渠道類型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：60 V
最大連續(xù)漏極電流：4.7@N Channel|3.5@P Channel A
RDS -于：55@10V@N Channel|85@10V@P Channel mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：3.5 ns
典型上升時(shí)間：4.1 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26.2@N Channel|35@P Channel ns
典型下降時(shí)間：10.6@N Channel|10@P Channel ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2100
最大漏源電壓：60
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：55@10V@N Channel|85@10V@P Channel
每個(gè)芯片的元件數(shù)：2
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOIC
最高工作溫度：150
包裝長度：5(Max)
引腳數(shù)：8
包裝高度：1.5(Max)
最大連續(xù)漏極電流：4.7@N Channel|3.5@P Channel
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：1.25W
匹配代碼：ZXMC4559DN8TA
LogicLevel：YES
單位包：500
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：10 weeks
最小起訂量：500
Q（克）：11nC
LLRDS （上）：0.075Ohm
汽車：NO
LLRDS （上）在：4.5V
我（D ）：4.7A
V（ DS ）：60V
技術(shù)：TrenchFET
的RDS（on ） at10V：0.055Ohm
無鉛Defin：RoHS-conform
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：3.6A, 2.6A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
其他名稱：ZXMC4559DN8TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：55 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型：N and P-Channel
功率 - 最大：1.25W
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1063pF @ 30V
閘電荷（Qg ） @ VGS：20.4nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：500
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N and P-Channel
配置：Dual Dual Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：4.7 A, - 3.5 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：75 mOhms
功率耗散：2.1 W
最低工作溫度：- 55 C