Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.3A
Rds（最大）@ ID，VGS：135 mOhm @ 1.7A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：290pF @ 25V
功率 - 最大：870mW
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
供應(yīng)商器件封裝：8-MSOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8MSOP
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：2.3 A
RDS -于：135@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：2.5 ns
典型上升時間：4.1 ns
典型關(guān)閉延遲時間：9.6 ns
典型下降時間：4.4 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：3.1(Max)
PCB：8
最大功率耗散：1250
最大漏源電壓：30
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：135@10V
每個芯片的元件數(shù)：2
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：MSOP
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：3.1(Max)
引腳數(shù)：8
包裝高度：0.95(Max)
最大連續(xù)漏極電流：2.3
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
單位包：1000
最小起訂量：1000
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.3A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MSOP
其他名稱：ZXMD63N03XTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：135 mOhm @ 1.7A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：870mW
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：290pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：8nC @ 10V
封裝/外殼：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual Dual Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：2.3 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：135 mOhms
功率耗散：0.87 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：MSOP-8
上升時間：4.1 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：30 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時間：4.1 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：0.135 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：MSOP
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：2
工作溫度分類：Military