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通道類型N

最大連續(xù)漏極電流2.4 A

最大漏源電壓20 V

最大漏源電阻值130 m0hms

最大柵閾值電壓3V

最大柵源電壓-12 V、+12 V

封裝類型MSOP

安裝類型表面貼裝

引腳數(shù)目8

晶體管配置隔離式

通道模式增強(qiáng)

類別功率 MOSFET

最大功率耗散1250 mW

最低工作溫度-55 °C

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目2

長度3.1mm

高度0.95mm

晶體管材料Si

典型柵極電荷@Vgs6 nC @ 4.5 V

典型輸入電容值@Vds350 pF@ 15 V

典型關(guān)斷延遲時間13.5 ns

典型接通延遲時間3.4 ns

尺寸3.1 x 3.1 x 0.95mm

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs