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晶體管極性P-Channel
汲極/源極擊穿電壓30 V
閘/源擊穿電壓20 V
漏極連續(xù)電流4.8 A
配置Dual Dual Drain
安裝風格SMD/SMT
封裝 / 箱體SOIC-8
封裝Reel
下降時間6.4 ns
功率耗散2000 mW
上升時間6.4 ns
典型關(guān)閉延遲時間49.5 ns
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