制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:4 Channel
晶體管極性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:1 A, 850 mA
Rds On-漏源導通電阻:700 mOhms, 1.45 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:2.9 nC, 3.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:870 mW
配置:Quad
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:ZXMHC10
晶體管類型:2 N-Channel, 2 P-Channel
商標:Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值:1.6 S, 1.2 S
下降時間:2.1 ns, 3.3 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:1.5 ns, 2.1 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延遲時間:1.8 ns, 1.6 ns
單位重量:74 mg