Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
FET 型
：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET特點：Standard
漏極至源極電壓（VDSS）：100V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：1A, 800mA
Rds（最大）@ ID，VGS：700 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：2.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：138pF @ 60V
功率 - 最大：1.3W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供應(yīng)商器件封裝：SM8
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SM8
渠道類型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：100 V
最大連續(xù)漏極電流：1.1@N Channel|0.9@P Channel A
RDS -于：700@10V@N Channel|1000@10V@P Channel mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：1.8@N Channel|1.6@P Channel ns
典型上升時間：1.5@N Channel|2.1@P Channel ns
典型關(guān)閉延遲時間：4.1@N Channel|5.9@P Channel ns
典型下降時間：2.1@N Channel|3.3@P Channel ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
歐盟RoHS指令：Compliant
最高工作溫度：150
最低工作溫度：-55
包裝高度：1.6(Max)
最大功率耗散：1300
封裝：Tape and Reel
最大漏源電阻：700@10V@N Channel|1000@10V@P Channel
最大漏源電壓：100
每個芯片的元件數(shù)：4
包裝寬度：3.7(Max)
供應(yīng)商封裝形式：SM8
包裝長度：6.7(Max)
PCB：8
最大連續(xù)漏極電流：1.1@N Channel|0.9@P Channel
引腳數(shù)：8
P（ TOT ）：1.3W
匹配代碼：ZXMHC10A07T8TA
單位包：1000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：16 weeks
最小起訂量：1000
無鉛Defin：RoHS-conform
汽車：NO
我（D ）：0.9A
V（ DS ）：100V
技術(shù)：H-Bridge
的RDS（on ） at10V：1.700Ohm
FET特點：Standard
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1A, 800mA
的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SM8
其他名稱：ZXMHC10A07T8TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：700 mOhm @ 1.5A, 10V
FET型：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
功率 - 最大：1.3W
漏極至源極電壓（Vdss）：100V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：138pF @ 60V
閘電荷（Qg ） @ VGS：2.9nC @ 10V
封裝/外殼：SOT-223-8
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N and P-Channel
配置：Quad Dual Drain Dual Source
連續(xù)漏極電流：1.1 A, - 0.9 A
正向跨導(dǎo) - 閔：1.6 S, 1.2 S
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：700 mOhms at N Channel, 1000 mOhms at P Channel
功率耗散：1.3 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SM-8