類別：Power MOSFET
通道模式：Enhancement
渠道類型：N, P
配置：Quad
外形尺寸：5 x 4 x 1.5mm
身高：1.5mm
長度：5mm
最大連續(xù)漏極電流：-2.06 (P-Channel) A, 2.72 (N-Channel) A
最大漏源電阻：0.18 (N-Channel) Ω, 0.33 (P-Channel) Ω
最大漏源電壓：30 (N-Channel) V, -30 (P-Channel) V
最大門源電壓：±20 V
最高工作溫度：+150 °C
最大功率耗散：1.36 W
最低工作溫度：-55 °C
安裝類型：Surface Mount
每個(gè)芯片的元件數(shù)：4
包裝類型：SO
引腳數(shù)：8
典型柵極電荷@ VGS：3.9 nC V @ 10 (N-Channel), 5.2 nC V @ -10 (P-Channel)
典型輸入電容@ VDS：190 pF @ 25 V (N-Channel), 204 pF @ -15 V (P-Channel)
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12.1 (P-Channel) ns, 6.6 (N-Channel) ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：1.2 (P-Channel) ns, 1.7 (N-Channel) ns
寬度：4mm