Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：100V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：1.5A
Rds（最大）@ ID，VGS：250 mOhm @ 3.2A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：7.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：405pF @ 50V
功率 - 最大：1.1W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-6
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：6SOT-23
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：100 V
最大連續(xù)漏極電流：3.5 A
RDS -于：250@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：3.4 ns
典型上升時(shí)間：2.2 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：8 ns
典型下降時(shí)間：3.2 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：1.8(Max)
PCB：6
最大功率耗散：1700
最大漏源電壓：100
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：250@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-23
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長(zhǎng)度：3.1(Max)
引腳數(shù)：6
包裝高度：1.3(Max)
最大連續(xù)漏極電流：3.5
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
單位包：10000
最小起訂量：10000
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1.5A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250μA
封裝/外殼：SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：250 mOhm @ 3.2A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.1W
漏極至源極電壓（Vdss）：100V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：405pF @ 50V
閘電荷（Qg ） @ VGS：7.7nC @ 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：10000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single Quad Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：1.9 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：250 mOhms
功率耗散：1.1 W
最低工作溫度：- 55 C
上升時(shí)間：2.2 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：100 V