制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8
通道數(shù)量:4 Channel
晶體管極性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:4.98 A, 4.13 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:9 nC, 12.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:0.87 W
配置:Quad
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:ZXMHC3
晶體管類型:2 N-Channel, 2 P-Channel
類型:H-Bridge
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:11.8 S, 14 S
下降時間:6.3 ns, 21 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3.3 ns, 3 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:11.5 ns, 30 ns
典型接通延遲時間:2.5 ns, 1.9 ns
單位重量:260 mg