Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：450V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：140mA
Rds（最大）@ ID，VGS：50 Ohm @ 100mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 1mA
柵極電荷（Qg）@ VGS：-
輸入電容（Ciss）@?Vds的：70pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-261-4, TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：4SOT-223
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：450 V
最大連續(xù)漏極電流：0.14 A
RDS -于：50000@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：7(Max) ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：16(Max) ns
典型下降時(shí)間：10(Max) ns
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
引腳數(shù)：4
歐盟RoHS指令：Compliant
包裝寬度：3.7(Max)
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-223
包裝高度：1.65(Max)
渠道類型：N
封裝：Tape and Reel
最大漏源電阻：50000@10V
最大漏源電壓：450
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
標(biāo)簽：Tab
供應(yīng)商封裝形式：SOT-223
包裝長度：6.7(Max)
PCB：3
最大連續(xù)漏極電流：0.14
最大功率耗散：2000
鉛形狀：Gull-wing
單位包：1000
最小起訂量：1000
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：140mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 1mA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223
其他名稱：ZXMN0545G4TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：50 Ohm @ 100mA, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2W
漏極至源極電壓（Vdss）：450V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：70pF @ 25V
封裝/外殼：TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：0.14 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：50 Ohms
功率耗散：2 W
封裝/外殼：SOT-223
上升時(shí)間：7 ns
漏源擊穿電壓：450 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時(shí)間：10 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：50 ohm
包裝類型：SOT-223
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1