Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
FET 型
：4 N-Channel (H-Bridge)
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：60V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：1.4A
Rds（最大）@ ID，VGS：300 mOhm @ 1.8A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：3.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：166pF @ 40V
功率 - 最大：1.1W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供應(yīng)商器件封裝：SM8
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SM8
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：60 V
最大連續(xù)漏極電流：1.6 A
RDS -于：300@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：1.8 ns
典型上升時(shí)間：1.4 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：4.9 ns
典型下降時(shí)間：2 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
歐盟RoHS指令：Compliant
最高工作溫度：150
最低工作溫度：-55
包裝高度：1.6(Max)
最大功率耗散：1600
渠道類型：N
封裝：Tape and Reel
最大漏源電阻：300@10V
最大漏源電壓：60
每個(gè)芯片的元件數(shù)：4
包裝寬度：3.7(Max)
供應(yīng)商封裝形式：SM8
包裝長度：6.7(Max)
PCB：8
最大連續(xù)漏極電流：1.6
引腳數(shù)：8
P（ TOT ）：1.7W
匹配代碼：ZXMHN6A07T8TA
單位包：1000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：16 weeks
最小起訂量：1000
無鉛Defin：RoHS-conform
汽車：NO
我（D ）：1.8A
V（ DS ）：60V
技術(shù)：4xN-CH
的RDS（on ） at10V：0.300Ohm
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：1.4A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SM8
其他名稱：ZXMHN6A07T8TA-ND
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：300 mOhm @ 1.8A, 10V
FET型：4 N-Channel (H-Bridge)
功率 - 最大：1.1W
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：166pF @ 40V
閘電荷（Qg ） @ VGS：3.2nC @ 10V
封裝/外殼：SOT-223-8
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：1000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Quad Dual Drain Dual Source
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：1.6 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：300 mOhms
功率耗散：1600 mW
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SM-8
上升時(shí)間：1.4 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：60 V
RoHS：RoHS Compliant
下降時(shí)間：1.4 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：0.3 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：SM8
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：4
工作溫度分類：Military