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ZXMN10A08E6 PDF文件_規(guī)格信息

ZXMN10A08E6
規(guī)格信息：

晶體管極性：:N Channel

Continuous Drain Current Id：:1.5A

Drain Source Voltage Vds：:100V

On Resistance Rds(on)：:400mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:2V

功耗：:1.7W

Transistor Case Style：:SOT-23

No. of Pins：:6

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：:1.9A

Current Temperature：:25°C

Junction Temperature Tj Max：:150°C

Junction Temperature Tj Min：:-55°C

No. of Transistors：:1

On State Resistance Max：:400mohm

Pulse Current Idm：:5.3A

SMD Marking：:10A8

Voltage Vds Typ：:100V

Voltage Vgs Max：:20V

Voltage Vgs Rds on Measurement：:10V

Voltage Vgs th Min：:2V

Weight (kg)：0.000033

Tariff No.：85412100

ZXMN10A08E6

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
ZXMN10A08E6	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	ZETEX[Zetex Semiconductors]	1036.53 Kbytes	共7頁	ZXMN10A11G,ZXMN10A09K,ZXMN10A08DN8,ZXMN10B08E6,ZXMN10A07F,ZXMN10A07Z,NTE2379,NTE2942,NTE2969,ZXM64N03X	產(chǎn)品購買
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ZXMN10A08E6	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	240.06 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
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