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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：100V

電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：2A

Rds（最大）@ ID，VGS：250 mOhm @ 3.2A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：2V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：7.7nC @ 10V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：405pF @ 50V

功率 - 最大：2W

安裝類(lèi)型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-261-4, TO-261AA

供應(yīng)商器件封裝：SOT-223

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET Feature：Logic Level Gate

Packaging：Tape & Reel (TR)

Mounting Type：Surface Mount

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：2A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA

Supplier Device Package：SOT-223

Rds On (Max) @ Id, Vgs：250 mOhm @ 3.2A, 10V

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Power - Max：2W

Standard Package：1,000

Drain to Source Voltage (Vdss)：100V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：405pF @ 50V

Gate Charge (Qg) @ Vgs：7.7nC @ 10V

Package/Case：TO-261-4, TO-261AA

Other Names：ZXMN10A08GCT

rohs：Lead free / RoHS Compliant