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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

封裝 / 箱體:SOT-227-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:188 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.07 kW

配置:Single

商標(biāo)名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:IXFN210N20

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):IXYS

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:MOSFETs

單位重量:30 g