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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

封裝 / 箱體:SOT-227-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:600 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:9.6 mm

長度:38.23 mm

系列:IXFN120N20

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:25.42 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:77 S

下降時(shí)間:40 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:55 ns

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:110 ns

典型接通延遲時(shí)間:42 ns

單位重量:30 g