包裝管件
系列HiPerFET?
零件狀態(tài)有源
FET 類(lèi)型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）78A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）30 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）5V @ 4mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）183nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）10800pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）595W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型底座安裝
供應(yīng)商器件封裝SOT-227B
封裝/外殼SOT-227-4，miniBLOC