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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:7 A

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.4 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:180 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3

封裝:Tube

商標(biāo):IXYS

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:60 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:40 ns

工廠包裝數(shù)量:20

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns

典型接通延遲時(shí)間:35 ns